STP25N80K5
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP25N80K5 datasheet
-
МаркировкаSTP25N80K5
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP25N80K5 Configuration: Single Continuous Drain Current: 19.5 A Drain-source Breakdown Voltage: 800 V Gate Charge Qg: 40 nC Gate-source Breakdown Voltage: 30 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Power Dissipation: 250 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.26 Ohms Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.26 Ohms
-
Количество страниц19 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
04.06.2024
03.06.2024
03.06.2024