STP25N10F7 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSTP25N10F7
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP25N10F7 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 25 A Rds On: 35 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Brand: STMicroelectronics Fall Time: 4.6 ns Gate Charge Qg: 14 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 50 W Rise Time: 14 ns Series: STP25N10 Factory Pack Quantity: 50 Typical Turn-Off Delay Time: 14.8 ns
-
Количество страниц21 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
25.05.2024
24.05.2024
22.05.2024